“砷化镓”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果2424202个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]本征砷化镓波导结构的太赫兹波单偏振输出器-CN201710891577.X有效
发明人：李九生;孙建忠 -专利权人：中国计量大学
申请日： 2017-09-27 - 公布日： 2020-03-27 - 主分类号： G02B6/126 文献下载
摘要：本发明公开了一种本征砷化镓波导结构的太赫兹波单偏振输出器。它包括砷化镓层、砷化镓输入波导、砷化镓第一锥形波导、砷化镓多模干涉波导、砷化镓第二锥形波导、砷化镓定向耦合波导、砷化镓第三锥形波导、砷化镓第一弧形波导、砷化镓第二弧形波导、砷化镓第三弧形波导、砷化镓第一输出波导、砷化镓第二输出波导，当输入TE偏振模式的太赫兹波时，太赫兹波直接从砷化镓第二输出波导输出，没有发生偏振模式转换，当输入TM偏振模式的太赫兹波时，太赫兹波经过砷化镓多模干涉波导转换为TE偏振模式，经砷化镓定向耦合波导耦合从砷化镓第一输出波导输出
征砷化镓波导结构赫兹偏振输出

[发明专利]1.3微米高密度量子点结构及其制备方法-CN200410009992.0无效
发明人：牛智川;方志丹;倪海桥;韩勤;龚政;张石勇;佟存柱;彭红玲;吴东海;赵欢;吴荣汉 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2004-12-09 - 公布日： 2006-06-14 - 主分类号： C09K11/74 文献下载
摘要：一种1.3微米高密度量子点结构，其特征在于，包括：一砷化镓过渡层；一第一砷化镓势垒层，该第一砷化镓势垒层制作在砷化镓过渡层上；一砷化铟自组织量子点，该砷化铟自组织量子点制作在第一砷化镓势垒层上；一铟镓砷覆盖层，该铟镓砷覆盖层制作在砷化铟自组织量子点上；一第二砷化镓势垒层，该第二砷化镓势垒层制作在铟镓砷覆盖层上；一砷化镓覆盖层，该砷化镓覆盖层制作在第二砷化镓势垒层上。
1.3 微米高密度量子结构及其制备方法

[发明专利]具有低暗电流特性的谐振腔增强型光电探测器-CN200910237780.0无效
发明人：孙晓明;郑厚植;章昊 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2009-11-17 - 公布日： 2010-12-15 - 主分类号： H01L31/111 文献下载
摘要：一种具有低暗电流特性的谐振腔增强型光电探测器，包括：一砷化镓衬底；一砷化镓缓冲层生长在砷化镓衬底上；一谐振腔结构生长在砷化镓缓冲层上；一有源区生长在腔体下砷化镓层上，包括交替生长的铟镓砷量子点和砷化镓间隔层；一腔体中砷化镓层生长在有源区上；一势垒结构生长在腔体中砷化镓层上，包括依次生长的下铝镓砷层、砷化铝层、上铝镓砷层以及铝镓砷渐变层，其中下铝镓砷层和上铝镓砷层的组成成份都为Al0.45Ga0.55As，铝镓砷渐变层的组成成份为AlXGa1-XAs，沿着生长方向，X由0.45渐变至0；一腔体上砷化镓层生长在势垒结构上；一上反射镜生长在腔体上砷化镓层上，包括依次生长的上反射镜砷化铝层和上反射镜砷化镓层。
具有电流特性谐振腔增强光电探测器

[发明专利]宽光谱砷化铟/砷化铟镓/砷化镓量子点材料生长方法-CN200610002667.0无效
发明人：刘宁;金鹏;王占国 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2006-01-26 - 公布日： 2007-08-01 - 主分类号： C09K11/62 文献下载
摘要：一种宽光谱砷化铟/砷化铟镓/砷化镓量子点材料生长方法，包括如下步骤：在衬底上制备砷化镓缓冲层，该缓冲层是下述有源区的下势垒层；在砷化镓缓冲层上制备有源区，该有源区是该砷化铟/砷化铟镓/砷化镓量子点材料的核心部分，为该材料的光谱发射区；在有源区上制备低温砷化镓盖层，该低温砷化镓盖层为上述有源区的上势垒层；在低温砷化镓盖层上制备高温砷化镓盖层，该高温砷化镓盖层是该砷化铟/砷化铟镓/砷化镓量子点材料的最外一层，具有保护作用
光谱砷化铟砷化铟镓砷化镓量子材料生长方法

[发明专利]一种具有防反射层的砷化镓太阳能电池-CN201710498727.0在审
发明人：黄孝如 -专利权人：海门市绣羽工业设计有限公司
申请日： 2017-06-27 - 公布日： 2019-01-04 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有防反射层的砷化镓太阳能电池，所述砷化镓太阳能电池依次包括：砷化镓衬底；位于砷化镓衬底上的背电场层；位于背电场层上的砷化镓p‑n结，所述砷化镓p‑n结包括层叠设置的n型砷化镓层和p型砷化镓层；位于砷化镓p‑n结上的砷化铝镓窗口层；位于砷化铝镓窗口层上的电极接触层；位于电极接触层上的防反射层；以及，位于电极接触层上的若干电极。
砷化镓砷化镓太阳能电池电极接触层防反射层砷化铝镓背电场窗口层衬底光电转换效率防反射结构太阳能电池层叠设置电极反射

[发明专利]长波长砷化铟/砷化镓量子点材料-CN200610088947.8无效
发明人：刘宁;金鹏;王占国 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2006-07-27 - 公布日： 2008-01-30 - 主分类号： C09K11/74 文献下载
摘要：一种长波长砷化铟/砷化镓量子点材料，其特征在于，所述材料是基于应变自组织的量子点材料，其结构包括：一砷化镓衬底；一砷化镓缓冲层，该砷化镓缓冲层制作在衬底上；一多周期量子点层，该多周期量子点层制作在砷化镓缓冲层上；一砷化镓盖层，该砷化镓盖层制作在多周期量子点层上。
波长砷化铟砷化镓量子材料

[发明专利]一种砷化镓电池散热结构-CN202210776874.0在审
发明人：史博鑫 -专利权人：史博鑫
申请日： 2022-07-04 - 公布日： 2022-09-09 - 主分类号： H01L31/052 文献下载
摘要：本发明涉及一种砷化镓电池散热结构，包括砷化镓芯片、电源正极、电源负极和散热器，所述砷化镓芯片的基面通过焊接层连接第一导体，所述电源负极通过所述第一导体连接所述砷化镓芯片的基面，所述砷化镓芯片通过正极导线连接第二导体本发明的有益效果是：通过改进砷化镓电池的封装结构，提高砷化镓电池自身的导热效率，使砷化镓电池产生的热量高效传导到散热器，防止砷化镓电池发生过热损毁。
一种砷化镓电池散热结构

[发明专利]一种砷化镓电池散热结构-CN202210960137.6在审
发明人：史博鑫 -专利权人：史博鑫
申请日： 2022-08-11 - 公布日： 2022-11-01 - 主分类号： H01L31/052 文献下载
摘要：本发明涉及一种砷化镓电池散热结构，包括砷化镓芯片、电源正极、电源负极和散热器，所述砷化镓芯片的基面通过焊接层连接第一导体，所述电源负极通过所述第一导体连接所述砷化镓芯片的基面，所述砷化镓芯片通过正极导线连接第二导体本发明的有益效果是：通过改进砷化镓电池的封装结构，提高砷化镓电池自身的导热效率，使砷化镓电池产生的热量高效传导到散热器，防止砷化镓电池发生过热损毁。
一种砷化镓电池散热结构

[发明专利]室温环境下激励砷化镓中金属原子扩散的方法-CN201510976237.8在审
发明人：徐万劲;李磊;李艳平;姚利;侯瑞祥;秦国刚 -专利权人：北京大学
申请日： 2015-12-23 - 公布日： 2017-06-30 - 主分类号： H01L21/22 文献下载
摘要：本发明公开了一种激励砷化镓中金属原子扩散的方法，在室温环境下先通过感应耦合等离子体处理或其他方法在砷化镓材料或砷化镓器件表面引入表面缺陷，再对砷化镓材料或砷化镓器件进行一定剂量的伽马射线辐照，激活励砷化镓内的金属杂质扩散该方法简单快捷，而且由于不需高温，不仅可用于改善砷化镓晶片的性能，还可用于改善砷化镓器件的性能。
室温环境激励砷化镓中金属原子扩散方法

[发明专利]砷化镓基半导体器件的制造方法-CN202011468551.2有效
发明人：于良成;白龙刚;杨国文;赵卫东 -专利权人：度亘激光技术(苏州)有限公司
申请日： 2020-12-15 - 公布日： 2021-03-23 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供一种砷化镓基半导体器件的制造方法，涉及半导体器件制备技术领域。本发明提供的砷化镓基半导体器件的制造方法包括：将砷化镓基底放入酸溶液中进行清洗；向经过清洗的砷化镓基底表面通入流动的氨气，并使氨气进行等离子反应，以去除砷化镓基底表面的氧化物；在砷化镓基底上制备氮化硅保护膜本发明提供的砷化镓基半导体器件的制造方法，在砷化镓基底上制备氮化硅保护膜之前，利用氨气的等离子反应去除砷化镓基底表面的氧化物，并在砷化镓基底上形成完整的氮氢化学键，从而可以得到表面粗糙的稳态砷化镓基底，使得制备在砷化镓基底上的氮化硅保护膜不易于脱落，提高了产品良率。
砷化镓基半导体器件制造方法

[发明专利]一种基于砷化镓衬底的锗雪崩光电探测器的制作方法-CN202110440484.1有效
发明人：陈思铭;刘会赟;饶志治 -专利权人：湖南汇思光电科技有限公司
申请日： 2021-04-23 - 公布日： 2021-11-09 - 主分类号： H01L31/107 文献下载
摘要：本发明具体公开了一种基于砷化镓衬底的锗雪崩光电探测器的制作方法，所述方法包括以下步骤：S1、将半绝缘砷化镓衬底送入MBE腔中去除表面氧化层；S2、在去除表面氧化层的半绝缘砷化镓衬底上生长一层砷化镓n型接触层；S3、在砷化镓n型接触层上生长一层非掺杂砷化镓雪崩倍增层；S4、在非掺杂砷化镓雪崩倍增层上生长一层p型砷化镓电子调节层；S5、在p型砷化镓电子调节层上生长一层非掺杂锗吸收层；S6、将步骤S5获得的砷化镓衬底通过真空传输输送至用于锗生长的MBE腔内并在砷化镓衬底上生长一层锗p型接触层，从而获得基于砷化镓衬底的锗雪崩光电探测器。本发明通过将晶格匹配的锗材料外延生长在砷化镓衬底上，有效减少了器件的暗电流和制造成本。
一种基于砷化镓衬底雪崩光电探测器制作方法

[发明专利]自组织砷化铟/砷化镓盘状量子点材料的制作方法-CN03137828.5无效
发明人：刘金龙;李树深;牛智川 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2003-05-21 - 公布日： 2004-11-24 - 主分类号： H01S5/343 文献下载
摘要：一种自组织砷化铟/砷化镓盘状量子点材料的制作方法，包括如下步骤：将砷化镓衬底进行脱氧处理，然后生长砷化镓缓冲层；砷化镓衬底温度；退火后采用循环停顿生长方法，生长出砷化铟量子点；生长厚为一个原子层至15nm的砷化镓；重复3－4步骤1－40个循环，循环累积生长自组织砷化铟/砷化镓盘状量子点，提高材料的发光效率；生长1－30个原子层的砷化铝扩散阻挡层用于阻止铟原子扩散；生长1－30nm的铟镓砷缓冲层以减缓应力的变化；最后生长5－300nm的砷化镓盖层来保护所生长的材料。
组织砷化铟砷化镓盘状量子材料制作方法

[发明专利]一种基于砷化镓p-n结器件的β型核电池-CN202111185180.1在审
发明人：张光辉;刘玉敏;林坤宇;桑天贵;王物达;罗朝君 -专利权人：东华理工大学
申请日： 2021-10-12 - 公布日： 2022-01-11 - 主分类号： G21H1/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于砷化镓p‑n结器件的β型核电池。这种核电池是由放射源镍‑63源、砷化镓p‑n结换能器件和电池外壳组成。利用MOCVD外延生长技术及设备制备砷化镓p‑n结，这种p‑n结包括：n型砷化镓衬底层、n型砷化镓缓冲层、n型铝砷化镓层、n型砷化镓基区层和p型砷化镓层。由砷化镓p‑n结和电极层构成砷化镓p‑n结器件。然后，在正面格栅电极层和背面电极层上分别焊接金引线形成电池的正、负极引线。接着，将薄片放射源镍‑63源放置于砷化镓p‑n结器件的正面格栅电极层上。最后，将整个装置封装后制备成一种基于砷化镓p‑n结器件的β型核电池。
一种基于砷化镓器件核电

[发明专利]一种集成式硅基芯片及其制作方法、集成电路-CN202110996272.1在审
发明人：樊永辉;许明伟;樊晓兵 -专利权人：深圳市汇芯通信技术有限公司
申请日： 2021-08-27 - 公布日： 2023-02-28 - 主分类号： H01L27/06 文献下载
摘要：本申请公开了一种集成式硅基芯片及其制作方法、集成电路，集成式硅基芯片包括：硅衬底、基于硅的控制电路、砷化镓外延结构、砷化镓高电子迁移率晶体管和匹配电路；硅衬底被划分为硅器件区域和砷化镓器件区域；基于硅的控制电路，设置在硅衬底上，对应设置在硅器件区域；砷化镓外延结构，设置在硅衬底上，对应砷化镓器件区域；砷化镓高电子迁移率晶体管，设置在砷化镓外延结构上；以及匹配电路，设置在砷化镓外延结构上；基于硅的控制电路与砷化镓高电子迁移率晶体管电连接；匹配电路与砷化镓高电子迁移率晶体管电连接。可以将基于硅的控制电路、砷化镓高电子迁移率晶体管和匹配电路集成到一个芯片上。
一种集成式硅基芯片及其制作方法集成电路

[发明专利]一种向砷化镓材料引入杂质并加以激活的方法-CN201811485333.2有效
发明人：秦国刚;李磊;张黎莉;徐万劲;张健 -专利权人：北京大学
申请日： 2018-12-06 - 公布日： 2021-04-20 - 主分类号： H01L21/265 文献下载
摘要：本发明涉及一种向砷化镓材料引入杂质并将杂质激活的方法，属于半导体技术领域。该方法首先将砷化镓材料抛光并清洗，得到砷化镓样品；然后在电容耦合等离子体真空发生腔室底部样品台上放置连接射频电源的极板，在极板上放置纯砷化镓片；将杂质源和砷化镓样品放置在纯砷化镓片上，砷化镓样品被杂质源包围，砷化镓样品抛光面朝上；进行电容耦合等离子体处理；最后进行退火处理。本发明在室温下利用CCP向砷化镓材料中引入杂质，杂质种类包括金属和非金属，利用极板上的偏压，使得He+离子破坏了局部砷化镓晶格的周期性。与没有自偏压的等离子体掺杂中的完整砷化镓晶格相比，本发明的方法在较低退火温度和较短退火时间下较易使杂质激活。
一种砷化镓材料引入杂质加以激活方法

1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
下一页»
尾页
共 100000 条